Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Моделирование особенностей эффекта насыщения дрейфовой скорости всубмикронных кремниевых структурах

Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Якупов М.Н.

Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Якупов М.Н. Моделирование особенностей эффекта насыщения дрейфовой скорости всубмикронных кремниевых структурах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1075

Аннотация Методами математического моделирования исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в субмикронных n+-n-n+-структурах в квазигидродинамическом приближении. Сиспользованием альтернативных зависимостей подвижности и времени энергетической релаксации от электронной температуры рассчитаны профили распределения потенциала, температуры, дрейфовой скорости и плотности потока тепловой энергии электронов. Показано, что в субмикронной ситуации существенная часть тепловой энергии, приобретаемой электроном в высокоомной n-области, рассеивается в низкоомном n+-контакте. Этот эффект снижает темп нарастания электронной температуры в пролетной области с ростом напряжения, повышает эффективную подвижность и препятствует насыщению дрейфовой скорости, как это показывают приведенные расчетные вольт-амперные характеристики.