Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, 150007 Ярославль, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига нафотолюминесценцию всверхрешеткахAlGaN/GaN иэпитаксиальных слояхGaN

Емельянов А.М., Соболев Н.А., Шек Е.И., Лундин В.В., Усиков А.С., Паршин Е.О.

Емельянов А.М., Соболев Н.А., Шек Е.И., Лундин В.В., Усиков А.С., Паршин Е.О. Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига нафотолюминесценцию всверхрешеткахAlGaN/GaN иэпитаксиальных слояхGaN // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1080

Аннотация Исследована фотолюминесценция при комнатной температуре в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слояхGaN, имплантированных ионами эрбия с энергией1 МэВ и дозой3·1015 см-2 и отожженных в аргоне. Интенсивность фотолюминесценции ионовEr3+ всверхрешетке выше, чем в эпитаксиальном слое при температурах отжига700-1000oC. Максимальное различие в интенсивностях для эпитаксиального слоя и сверхрешетки (~2.8раза) имаксимальная интенсивность фотолюминесценции сверхрешетки наблюдаются после отжига при900oC. При увеличении температуры отжига до1050oC интенсивность излучения, связанного с эрбием, в сверхрешетке существенно уменьшается, что может быть связано с термодеструкцией сверхрешетки.