Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия * Институт физической химии, Технический университет, D-1062 Дрезден, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки

Ивановская В.В., Зейферт Г., Ивановский А.Л.

Ивановская В.В., Зейферт Г., Ивановский А.Л. Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1093

Аннотация Предложены атомные модели квазиодномерных(1D) плоских (наноленты) и цилиндрических (нанотрубки) наноструктур 1T- и 2H-фаз TiS2. Самосогласованным зонным методом функционала электронной плотности в схеме сильной связи исследованы особенности электронного строения и факторы устойчивости этих наноструктур в сравнении с двумерной(2D,молекулярный монослой) и трехмерной (3D, кристалл) формами дисульфида титана. Впервые выполнен анализ возможности фазовых переходов (1T=<ftrightarrow 2H) в наноструктурах. Установлено, что октаэдрический тип атомного окружения, присущий устойчивой фазе1T кристаллическогоTiS2, в2D, 1D наноструктурах сохраняется. Вотличие от3D TiS2, все стабильные2D и1D наноструктуры являются полупроводниками; определены закономерности изменений зонного спектра наноструктурTiS2 в зависимости от их типа и атомного строения.