Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияМосковский инженерно-физический институт (государственный университет), 115409 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур

Елесин В.Ф., Катеев И.Ю.

Елесин В.Ф., Катеев И.Ю. Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1106

Аннотация Развита теория нелинейного высокочастотного отклика для двухъямной наноструктуры в постоянном электрическом поле. Такая структура является простейшей на пути от одноямной (резонансно-туннельный диод--- РТД) к сверхрешетке с однозонной \glqq штарковской лестницей\grqq. Вработе с помощью численного решения уравнения Шредингера найден ток поляризации в широком интервале частот и полей (включая сильные поля) для модельных и реальных структур. Показано, что отклик двухъямной наноструктуры значительно превосходит (на1-2порядка) отклик резонансно-туннельного диода. Предсказывается новый оптимальный режим генерации, аналогичный режиму в когерентном лазере на межуровневых переходах.