Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияРязанская государственная радиотехническая академия, 391000 Рязань, Россия * Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, 150007 Ярославль, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Формирование потенциальных барьеров внелегированных неупорядоченных полупроводниках
Вишняков Н.В., Вихров С.П., Мишустин В.Г., Авачев А.П., Уточкин И.Г., Попов А.А. Формирование потенциальных барьеров внелегированных неупорядоченных полупроводниках // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1189
Аннотация
Рассмотрены проблемы формирования потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках. На примере контакта металл--аморфный гидрогенизированный кремний рассмотрена обобщенная модель формирования потенциальных барьеров в таких структурах. Показано, что свойства барьеров в неупорядоченных полупроводниках определяются характером распределения по энергии локализованных состояний в щели подвижности. Это позволило получить аналитическое выражение для электрического поля и потенциала в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника и предложить новый способ формирования поверхностных квазиомических контактов.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален