Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия *UniversiteP. et M.Curie, Paris, France ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN прибольшой мощности оптического возбуждения

Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Barthou C.

Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Barthou C. Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN прибольшой мощности оптического возбуждения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1200

Аннотация Исследования спектров спонтанной ультрафиолетовой люминесценции нанокристаллов GaN выполнены при различных плотностях мощности оптического возбуждения от50 Вт/см2 до50 МВт/см2. При комнатной температуре обнаружены пики свечения свободных экситонов и рекомбинации электронно-дырочной плазмы. Изучены спектральные характеристики излучения электронно-дырочной плазмы нитрида галлия в широком диапазоне температур от77 до550 K.