Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской Академии наук, 142432, Черноголовка, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спиновое расщепление примесных состояний доноров, связанных с X-долиной вAlAs-барьере, ипространственное распределение плотности вероятности их волновых функций

Вдовин Е.Е., Ханин Ю.Н.

Вдовин Е.Е., Ханин Ю.Н. Спиновое расщепление примесных состояний доноров, связанных с X-долиной вAlAs-барьере, ипространственное распределение плотности вероятности их волновых функций // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1204

Аннотация Используя магнитотуннельную спектроскопию, мы обнаружили спиновое расщепление основного состояния Si-доноров, связанных с X-долиной в AlAs-барьере. Определено абсолютное значение эффективной величины gI-фактора в AlAs-барьере, равное 2.2±0.1. Нами также обнаружено, что распределение плотности вероятности волновых функций электронов примесных состояний доноров имеет биаксиальную симметрию в плоскости роста с осями, соответствующими главным кристаллическим направлениям в этой плоскости.