Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 Организация+ Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре вквантовых точкахInAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs

Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Максимов М.В., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Бимберг Д.

Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Максимов М.В., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Бимберг Д. Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре вквантовых точкахInAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1230

Аннотация Исследовались оптические свойства квантовых точек в матрицах GaAs или Al0.3Ga0.7As, полученных путем последовательного заращивания начальных островков InAs, сформированных в режиме роста Странского--Крастанова, тонкими слоями AlAs и InAlAs. Показано, что в массивах таких квантовых точек отсутствует транспорт носителей между квантовыми точками в диапазоне температур от10 до300 K и реализуется неравновесное распределение носителей. Подавление температурных выбросов носителей из квантовых точек обусловлено увеличением энергетического зазора между уровнями основного и возбужденного состояний, отсутствием уровня смачивающего слоя, а также увеличением энергии локализации носителей в квантовых точках относительно состояний континуума в случае использования матрицы Al0.3Ga0.7As.