Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Кинетика фазово-структурных преобразований втонких пленках SiOx впроцессе быстрого термического отжига

Данько В.А., Индутный И.З., Лысенко В.С., Майданчук И.Ю., Минько В.И., Назаров А.Н., Ткаченко А.С., Шепелявый П.Е.

Данько В.А., Индутный И.З., Лысенко В.С., Майданчук И.Ю., Минько В.И., Назаров А.Н., Ткаченко А.С., Шепелявый П.Е. Кинетика фазово-структурных преобразований втонких пленках SiOx впроцессе быстрого термического отжига // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1239

Аннотация Методами инфракрасной спектроскопии и фотолюминесценции изучались процессы изменения состава оксидной фазы пленки SiOx и выделения фазы Si в процессе быстрого термического отжига в интервалах времен 1--40 с и температур 500--1000oC. При температурах 600--700oC впервые наблюдалась кинетика фазовыделения: рост количества выпавшего кремния с увеличением времени отжига и выход на насыщение. При температурах выше 900oC процесс разделения фаз завершается уже за 1 c. Врамках модели диффузионно-контролируемого формирования наночастиц Si проведена оценка величины коэффициента диффузии. Полученные значения на 5--10 порядков превышают коэффициенты диффузии кремния в SiO2 и Si и сравнимы с коэффициентами диффузии кислорода в подобных структурах. Предполагается, что именно подвижность кислорода лежит в основе механизма структурно-фазовых превращений слоев SiOx и образования наночастиц Si в процессе отжига.