Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала втеории МОПтранзистора

Гергель В.А., Якупов М.Н.

Гергель В.А., Якупов М.Н. Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала втеории МОПтранзистора // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1246

Аннотация Предложена новая модель расчета характеристик глубоко-субмикрометровых полевых транзисторов современной микроэлектроники. Вней сочетаются традиционно упрощенное квазиодномерное представление о характере распределения электрических полей в канале транзистора (приближение плавного канала и заряженных слоев) и продвинутое квазигидродинамическое описание высокополевого электронного дрейфа (уравнение энергетического баланса), адекватное ситуациям с высокими градиентами температуры электронного газа. Представлены развернутая математическая формулировка модели, метод ее численной реализации, расчетные вольт-амперные характеристики тестовых транзисторных структур, физический анализ электрических свойств глубоко-субмикрометровых транзисторов с учетом особенностей распределения концентраций подвижного заряда, электрических полей и температуры в канале транзистора.