Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Евтихиев В.П., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Школьник А.С., Зегря Г.Г.

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Евтихиев В.П., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Школьник А.С., Зегря Г.Г. Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1252

Аннотация Экспериментально исследована температурная зависимость порогового тока в лазерных структурах на основе GaInAs в широком диапазоне температур, 4.2=<q T=<q290 K. Показано, что во всем рассмотренном температурном интервале эта зависимость является монотонной. Получены теоретические выражения для пороговой концентрации носителей и показано, что она зависит от температуры линейно. Показано, что при низких температурах основной вклад в пороговый ток вносят процессы мономолекулярной рекомбинации (Шокли--Рида); при температурах T>77 K пороговый ток определяется излучательной рекомбинацией; при более высоких температурах, близких к комнатной, вклад в пороговый ток вносят процессы оже-рекомбинации. При излучательной рекомбинации пороговый ток растет с температурой линейно, а при оже-рекомбинации приблизительно какT3.