Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электролюминесцентные свойства светодиодов наоснове p-Si, подвергнутых деформации

Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Феклисова О.В., Якимов Е.Б.

Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Феклисова О.В., Якимов Е.Б. Электролюминесцентные свойства светодиодов наоснове p-Si, подвергнутых деформации // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1271

Аннотация Исследована электролюминесценция в светодиодах, деформированных методом четырехточечного изгиба при 700oC, в диапазоне длин волн 1.0-1.65 мкм при токах до 400 мА. Светодиоды изготовлены имплантацией ионов B иP в пластины кремния p-типа проводимости, выращенного методами бестигельной зонной плавки (FZ-Si) и Чохральского (Cz-Si) с последующим отжигом при 700 и 1100oC. Интенсивность дислокационной электролюминесценции выше в светодиодах на основе FZ-Si. Низкотемпературный постимплантационный отжиг способствует увеличению интенсивности дислокационной электролюминесценции по сравнению с высокотемпературным. Трансформация спектров излучения в зависимости от тока в светодиодах на основе FZ-Si хорошо описывается 8гауссовыми линиями. Положения максимумов этих линий не зависят от тока и равны 1.22, 1.244, 1.26, 1.316, 1.38, 1.42, 1.52 и 1.544 мкм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности и ширины линий от тока.