Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников сразличными типами дефектов

Яшин А.Н.

Яшин А.Н. Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников сразличными типами дефектов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1331

Аннотация Исследованы ограничения на максимальную концентрацию дефектов, при которой в теории рекомбинации Шокли--Рида--Холла все еще применимо часто используемое предположение о равенстве времен жизни электронов и дырок. На примере легированного кремния рассмотрена зависимость данной концентрации от уровня инжекции и различных параметров дефектов. Исследованы случаи, когда полупроводник содержит дефекты только одного типа, а также нескольких типов. Проведенный анализ позволяет определить параметры образца, при которых для расчета времен жизни носителей заряда может быть использована упрощенная модель рекомбинации.