Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФедеральное государственное унитарное предприятие &#92;lower1pt&lt;&lt;Центральный научно-исследовательский институт &#92;glqq Комета&#92;grqq&#92;lower1pt&gt;&gt;, 115280 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник кнестационарным световым потокам

Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В.

Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В. Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник кнестационарным световым потокам // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1336

Аннотация Рассмотрена кинетика электронных процессов в структурах металл--диэлектрик--полупроводник, в которых слой диэлектрика обладает небольшой проводимостью. При питании структуры постоянным напряжением в полупроводниковом слое возникает неравновесная обедненная область. Проанализированы условия, необходимые для формирования устойчивой обедненной области и для образования в ней фотоэлектрических сигналов. Приведены оценки длительности переходных процессов и параметров слоев структуры.