Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs сквантовыми точками приразличной мощности накачки

Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Лунин Р.А., Белов А.А., Карузский А.Л., Пересторонин А.В., Здоровейщев А.В.

Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Лунин Р.А., Белов А.А., Карузский А.Л., Пересторонин А.В., Здоровейщев А.В. Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs сквантовыми точками приразличной мощности накачки // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1354

Аннотация Исследованы спектры фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различных мощностях накачки и температурах. На начальном участке роста мощности накачки обнаруживается сдвиг одной из линий спектра фотолюминесценции в нелегированном образце. При повышении температуры интенсивность высокоэнергетической части спектра уменьшается, а низкоэнергетическая смещается в область еще более низких энергий. Показано наличие в структурах квантовых точек двух характерных размеров.