Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияИнститут физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия * Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия + Universite P. et M.Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, 75252 Paris Cede
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Нанокомпозиты опал--ZnO: структура иэмиссионные свойства
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Ковальчук М.Н., Масалов В.М., Самаров Э.Н., Якимов Е.Е., Barthou C., Зверькова И.И. Нанокомпозиты опал--ZnO: структура иэмиссионные свойства // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1375
Аннотация
Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгенофазового анализа исследована структура композитов опал--ZnO. Показано, что в процессе термообработки инфильтрованных образцов происходит твердофазная реакция взаимодействия на границе раздела опал--ZnO с образованием силиката цинка beta-Zn2SiO4 и его высокотемпературной фазы--- виллемита Zn2SiO4. Исследована зависимость структуры и эмиссионных свойств нанокомпозита от степени заполнения. Для образца, прошедшего 25 циклов заполнения, обнаружена люминесценция в синей области спектра (430 нм), обусловленная фаза beta-Zn2SiO4. Угловые зависимости спектров люминесценции и отражения композита опал--ZnO с 4 циклами заполнения свидетельствуют об эффекте подавления спонтанного излучения оксида цинка в фотонной щели.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален