Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, 634034 Томск, Россия * Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук, 634021 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Удаление фторполимерных загрязнений споверхности кремниевых структур приобработке впотоке атомарного водорода

Анищенко Е.В., Кагадей В.А., Нефедцев Е.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В.

Анищенко Е.В., Кагадей В.А., Нефедцев Е.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В. Удаление фторполимерных загрязнений споверхности кремниевых структур приобработке впотоке атомарного водорода // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1389

Аннотация Исследована возможность эффективного удаления фторполимерных загрязнений с поверхности Si-структур с помощью обработки в потоке атомарного водорода. Установлено, что обработка образцов в направленном потоке атомарного водорода с плотностью 2·1015 ат. см-2с-1 при температуре 20-100oC приводит к уменьшению концентрации фторуглеродных загрязнений и, в частности, CF на 5порядков величины. Удаление фторуглеродных загрязнений осуществляется как с планарной поверхности Si-структур, так и с боковых стенок и со дна контактных отверстий диаметром от0.3-0.25 мкм и глубиной0.9 мкм, вскрытых с помощью реактивно-ионного травления в слое SiO2. Время обработки 2 мин достаточно для полного удаления фторполимерных загрязнений. Данный процесс \glqq сухой\grqq очистки может быть рекомендован для применения в технологии изготовления микросхем с межслоевым диэлектриком с низкой диэлектрической проницаемостью.