Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H-, 4H-, 6H- и 8H-SiC
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H-, 4H-, 6H- и 8H-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1440
Аннотация
В предположении линейной зависимости электронного сродства политипов карбида кремния от степени их гексагональности определены разрывы зон проводимости и валентных зон на контакте 3C-SiC с политипами NH-SiC (N=2, 4, 6, 8). Врамках модели треугольной квантовой ямы сделаны оценки энергии основного состоянияvarepsilon0. Показано, что эффективно управлять положением уровня varepsilon0 можно только с помощью легирования широкозонного политипа n-NH-SiC мелкими донорами.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален