Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Университет Линчепинга, S-58183 Линчепинг, Швеция ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Измерения длин диффузии микрометрового диапазона техникой ядерной спектрометрии
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. Измерения длин диффузии микрометрового диапазона техникой ядерной спектрометрии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1443
Аннотация Предлагается методика определения значений диффузионных длин в диапазоне 0.5-50 мкм и соответственно минимальных величин времени жизни носителей заряда порядка наносекунд. Используется диодная структура в режиме обратного смещения. Вобласть базы диода инжектируется калиброванный по величине неравновесный заряд. Инжекция осуществляется alpha-частицами естественного распада в режиме одиночного счета. Техникой ядерной спектрометрии измеряется величина заряда, продиффундировавшего в базе к границе области электрического поля. Проведен расчет возникающих в ходе диффузии потерь заряда в зависимости от длины проникновения трека частицы за область поля. Полученные функции имеют степенной характер и позволяют в свою очередь связать значения длины диффузии с величиной показателя степени и численного множителя, описывающего потери заряда. Эксперимент поставлен на слабо легированных эпитаксиальных пленках 4H-SiC.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален