Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения

Крыжков Д.И., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Денисов Д.В., Красильник З.Ф., Шек Е.И.

Крыжков Д.И., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Денисов Д.В., Красильник З.Ф., Шек Е.И. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1448

Аннотация Исследованы спектры фотолюминесценции при 77 K с разрешением до1 см-1 в светоизлучающих структурах на основе слоев кремния, легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста в диапазоне температур 400-700oC. Вслоях, выращенных при температурах =<q 500oC, доминируют обусловленные эрбием узкие линии, полная ширина которых на половине интенсивности не превышает9 см-1. При этом наблюдаются по крайней мере два разных центра, содержащих ионы Er3+ и примеси углерода. При дальнейшем повышении температуры эпитаксиального роста доминируют широкие линии (>=q 40 см-1), принадлежащие ионам Er3+ в SiOx-преципитатах. Зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции Er-зависимых центров от температуры молекулярно-лучевого эпитаксиального роста представляет собой кривую с максимумом при 500oC.