Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении
Якобсон М.А., Нельсон Д.К., Константинов О.В., Матвеенцев А.В.
Якобсон М.А., Нельсон Д.К., Константинов О.В., Матвеенцев А.В. Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1459
Аннотация Экспериментально установлено, что при возрастании плотности мощности возбуждающего излучения азотного лазера от10 до1000 кВт/см2 происходит сдвиг максимума спектра люминесценции GaN на ~ 150 мэВ. Мы связываем большой синий сдвиг с проявлением хвоста плотности локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы. Показано, что в модели идеальной квантовой ямы, в которой отсутствует хвост плотности локализованных состояний в запрещенной зоне, нельзя объяснить большой синий сдвиг. Предложено феноменологическое выражение для плотности состояний, содержащее подгоночный параметр--- энергию Урбаха, описывающее хвосты плотности локализованных состояний. Таким образом можно описать как длинноволновый край спектра люминесценции, так и большой синий сдвиг. При различной накачке изменяется квазиуровень Ферми фотоэлектронов, который подбирается для каждой экспериментальной кривой. Достигнуто качественное согласие теоретических и экспериментальных спектров рекомбинационного излучения, свидетельствующее об адекватности предположений модели. Из условия квазинейтральности находится поверхностная концентрация носителей, которая на несколько порядков превосходит пироэлектрическую концентрацию в узких квантовых ямах.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален