Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Идеальный статический пробой в высоковольтных(1 кВ) диодных p-n-структурах сохранными кольцами наоснове 4H-SiC

Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П.

Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П. Идеальный статический пробой в высоковольтных(1 кВ) диодных p-n-структурах сохранными кольцами наоснове 4H-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1475

Аннотация Продемонстрирован практически идеальный статический высоковольтный пробой(1060 В) вp+-n-n+-диодах с охранными кольцами на основе4H-SiC. При легировании n-базы до уровня 1.9· 1016 см-3 напряженность поля пробоя в диоде составляет 2.7·106 В/см. Ток утечки диодов не превышает 5·10-5 А/см2 при обратном напряжении до1000 В. Диоды выдерживают без деструкции лавинный ток1 А/см2, что соответствует рассеиваемой мощности1 кВт/см2.