Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Легирование эпитаксиальных слоев игетероструктур наосновеHgCdTe

Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И.

Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Легирование эпитаксиальных слоев игетероструктур наосновеHgCdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 3

Аннотация Приводится обзор литературы по легированию эпитаксиальных слоев твердых растворов HgCdTe и гетероструктур на их основе. Анализируются основные изменения в технологии легирования HgCdTe, произошедшие при переходе от приборных структур, изготовленных на основе объемного материала, к структурам на основе эпитаксиальных пленок. Рассмотрена специфика легирования эпитаксиальных слоев HgCdTe при выращивании их методами жидкофазной эпитаксии, газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений и молекулярно-пучковой эпитаксии. Проведен анализ электрических свойств легированного материала. Кратко анализируются современные представления о собственных дефектах в HgCdTe и их влиянии на свойства этого материала. PACS: 61.72.Ss, 61.72.Yx, 66.30.Tt, 66.30.Lw, 68.55.Ln