Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe
Власенко А.И., Власенко З.К. Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 52
Аннотация
На основе исследований структурных и фотоэлектрических свойств варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe установлено, что металлургическая граница материалов, располагающаяся в толще структуры, обогащена структурными дефектами и характеризуется повышенным темпом рекомбинации. Это является причиной потери фоточувствительности в средневолновом инфракрасном диапазоне широкополосных спектров фотопроводимости таких гетеросистем. При малых толщинах эпитаксиального слоя (
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален