Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияКазанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия * Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук, 634055 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние обработки кремния в атомарном водороде наобразование локальных областей плавления приимпульсном световом облучении

Захаров М.В., Кагадей В.А., Львова Т.Н., Нефедцев Е.В., Оскомов К.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В., Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б.

Захаров М.В., Кагадей В.А., Львова Т.Н., Нефедцев Е.В., Оскомов К.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В., Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б. Влияние обработки кремния в атомарном водороде наобразование локальных областей плавления приимпульсном световом облучении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 61

Аннотация Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым нагревом образцовSi и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов, привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки ватомарном водороде с экспозиционной дозой менее2.7·1017 см-2 не приводит к изменению количества дефектов вSi, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более3.6·1018 см-2 существенно увеличивает концентрацию дефектов. Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностьюSi. PACS: 68.35.Bs, 82.30.Wt