Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина + Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, 72701 Arkansas, USA * Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, 106 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул вдвухслойных структурах InAs / GaAs

Тарасов Г.Г., Жученко З.Я., Лисица М.П., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J., Warming T., Bimberg D., Kissel H.

Тарасов Г.Г., Жученко З.Я., Лисица М.П., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J., Warming T., Bimberg D., Kissel H. Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул вдвухслойных структурах InAs / GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 82

Аннотация Методом резонансной фотолюминесценции и спектроскопии возбуждения фотолюминесценции изучены самоорганизованные квантовые точки в двухслойных структурах InAs / GaAs. Слабо коррелированная (50%) двухслойная система с набором вертикально связанных квантовых точек (асимметричных квантовых молекул) создана в структуре, состоящей из первого слоя InAs толщиной dInAs=1.8 монослоя и второго слоя InAs толщиной dInAs=2.4 монослоя, разделенных слоем GaAs толщиной dGaAs=50 монослоев. Втакой системе изучена последовательность дискретных квантовых состояний и впервые отчетливо зарегистрированы резонансы, отвечающие вертикально связанным квантовым точкам. PACS: 68.66.Hb, 78.67.Hc