Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация+ Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фототок квантовых точек InAs, полученных самоорганизацией, в полупроводниковых лазерных гетероструктурах InAs/InGaAs/GaAs, излучающих на 1.3 мкм

Савельев А.В., Максимов М.В., Устинов В.М., Сейсян Р.П.

Савельев А.В., Максимов М.В., Устинов В.М., Сейсян Р.П. Фототок квантовых точек InAs, полученных самоорганизацией, в полупроводниковых лазерных гетероструктурах InAs/InGaAs/GaAs, излучающих на 1.3 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 88

Аннотация Изучались спектры фототока лазерных гетероструктур с квантовыми точками InAs, полученными в результате самоорганизации в гетеросистеме InAs/InGaAs/GaAs. Исследования выполнены при освещении образца перпендикулярно и вдоль плоскости квантовых точек. Определены: оптическая плотность квантовых точек, максимальное усиление в лазерной структуре, время излучательной рекомбинации носителей и поляризационные свойства поглощения. Спектры фототока соотнесены с особенностями лазерной генерации исследуемых структур. Спектр поглощения интерпретируется как суперпозиция переходов между состояниями дискретного спектра, непрерывного спектра и \glqq смешанных\grqq переходов. PACS: 73.21.La, 73.63.Kv, 78.67.Hc, 78.67.De