Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Характеристики экситонов иэкситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми точками
Купчак И.М., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Саченко А.В., Соколовский И.О., Сресели О.М.
Купчак И.М., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Саченко А.В., Соколовский И.О., Сресели О.М. Характеристики экситонов иэкситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми точками // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 98
Аннотация В приближении эффективных масс и квадратичного закона дисперсии проведен расчет энергии связи экситонов, энергии основного излучательного экситонного перехода и нуль-фононного излучательного времени жизни экситонов в кремниевых квантовых точках, находящихся в матрице SiOx. Рассчитаны также спектры стационарной и время-разрешенной экситонной фотолюминесценции кремниевых квантовых точек, рассмотрена кинетика релаксации фотолюминесценции. Проведено сравнение теории с экспериментом. Показано, что основным фактором уширения спектральных полос фотолюминесценции в наноструктурах с кремниевыми квантовыми точками диаметром менее4 нм является эффект квантово-мезоскопических флуктуаций, когда наличие даже одной оборванной связи на интерфейсе или одного собственного точечного дефекта или инородного атома в нанокристаллите такого размера или в его близком окружении сильно сказывается на энергии экситонного перехода. PACS: 71.35.Gg, 78.55.-m, 78.67.Hc
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален