Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияМосковский государственнный университет им. М.В.Ломоносова (физический факультет), 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Прыжковая varepsilon 2-проводимость легированных бором пленок a-Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу вводороде

Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н.

Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н. Прыжковая varepsilon 2-проводимость легированных бором пленок a-Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу вводороде // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 112

Аннотация Показано, что высокотемпературный отжиг в потоке водорода приводит к существенному изменению температурной зависимости проводимости легированных бором и нелегированных пленокa-Si : H. Для отожженных легированных пленок, наряду с зонным вкладом и вкладом прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, в области промежуточных температур обнаружена varepsilon2-проводимость, связываемая с прыжковой проводимостью по локализованным состояниям вблизи края валентной зоны. Возможность появления varepsilon2-проводимости обусловлена возрастанием концентрации электрически активных атомов бора и существенным изменением положения уровня Ферми при высокотемпературном отжиге легированных пленок в атмосфере водорода. Измеренные параметры varepsilon2-проводимости позволили определить размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний вблизи валентной зоны. PACS: 72.20.Ee, 73.61.Jc, 81.05.Gc