Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, 220090 Минск, Белоруссия + Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирс
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Модификация квантовых точек внаноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением
Володин В.А., Якимов А.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Михалев Г.Ю. Модификация квантовых точек внаноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 207
Аннотация
Цель исследования заключалась в разработке метода модификации структуры квантовых точек в наноструктурах Ge/Si с применением импульсного лазерного излучения. Изменение структуры квантовых точек GexSi1-x анализировалось по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследован энергетический спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками GexSi1-x до и после импульсного лазерного воздействия. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, что лазерная обработка позволяет уменьшить слоевую плотность квантовых точек, изменить их состав и увеличить средний размер. Наиболее важным результатом является обнаруженный эффект увеличения однородности параметров квантовых точек в результате наносекундного лазерного воздействия. Так, обработка образца со средним латеральным размером квантовых точек 8 нм (6монослоевGe) десятью лазерными импульсами приводит к двукратному уменьшению дисперсии энергетических уровней дырок в массиве квантовых точек. PACS: 63.22.+m, 66.10.Cb, 81.15.Hi
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален