Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИльичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им.И.И.Мечникова, 68001 Ильичевск, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда вполупроводниковых квантовых точках

Покутний С.И.

Покутний С.И. Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда вполупроводниковых квантовых точках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 223

Аннотация Развита теория взаимодействия электромагнитного поля с одночастичными состояниями носителей заряда, возникающими в полупроводниковой квантовой точке. Показано, что силы осцилляторов перехода, а также дипольные моменты переходов для одночастичных состояний в квантовой точке принимают большие значения, превосходящие типичные значения соответствующих величин для полупроводниковых материалов. Врамках дипольного приближения установлено, что большие значения сечений поглощения света, а также оптического коэффициента ослабления света в изучаемых квазинульмерных системах дают возможность использовать такие системы в качестве новых сильно поглощающих материалов. PACS: 78.67.Hc, 73.30.Ly, 78.20.Dj