Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия + Институт физики им.В.А.Фока, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Петродворец, Россия &#92;land Max-Planck-Institut fur Mikrostrukt ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Зонная структура испектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 свертикально совмещенными квантовыми точками

Сибирев Н.В., Талалаев В.Г., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Захаров Н.Д., Werner P.

Сибирев Н.В., Талалаев В.Г., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Захаров Н.Д., Werner P. Зонная структура испектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 свертикально совмещенными квантовыми точками // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 230

Аннотация Проведен теоретический анализ энергетической зонной диаграммы многослойных гетероструктур Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками. Сучетом флуктуаций толщины слоев в колонках квантовых точек и экситон-фононного взаимодействия показано, что электронные состояния формируют минизону. Дырочные волновые функции остаются локализованными в квантовых точках. Спектр оптических переходов в 20-слойной структуре, рассчитанный для комнатной температуры, хорошо согласуется с экспериментально измеренным спектром фотолюминесценции, показывающим интенсивную полосу вблизи1.6 мкм. Теоретически и экспериментально установлен характерный признак существования минизоны в сверхрешетке--- интегралы перекрытия электронных и дырочных волновых функций и интегральная интенсивность фотолюминесценции полосы квантовых точек Ge описываются квадратичной зависимостью от количества периодов структуры. PACS: 68.65.-k, 71.83.-k, 73.21.-b, 73.63.Kv