Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001)

Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н, Новиков А.В., Шалеев М.В.

Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н, Новиков А.В., Шалеев М.В. Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 235

Аннотация Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островковGe(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту островков на Si (001). Обнаружено, что изменение морфологии поверхности (переход от dome- к hut-островкам) в случае роста островков на релаксированных буферных слоях SiGe происходит при большей температуре, чем для островков Ge(Si)/Si (001). Причинами этого могут быть как меньшее рассогласование кристаллических решеток островка и буферного слоя, так и несколько большая поверхностная плотность островков при их росте на буфереSiGe. PACS: 68.65.Hb, 68.55.Ac, 68.55.Jk