Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Овлиянии вакансий вподрешетках кремния иуглерода наформирование барьера Шоттки наконтакте металл--SiC

Давыдов С.Ю., Посредник О.В.

Давыдов С.Ю., Посредник О.В. Овлиянии вакансий вподрешетках кремния иуглерода наформирование барьера Шоттки наконтакте металл--SiC // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 304

Аннотация В приближении поверхностной молекулы рассмотрено взаимодействие уровней кремниевых и углеродных вакансий с состояниями металла. Показано, что определяющая роль кремниевых вакансий в формировании барьера Шоттки на контакте Cr--SiC объясняется высокой плотностью состояний на антисвязывающем уровне. PACS: 73.30.+y, 71.20.Nr