Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие вспектральном диапазоне1.4--1.8 мкм

Михрин В.С., Васильев А.П., Семенова Е.С., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Устинов В.М.

Михрин В.С., Васильев А.П., Семенова Е.С., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Устинов В.М. Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие вспектральном диапазоне1.4--1.8 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 347

Аннотация Исследованы выращенные на подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры с квантовыми ямами InGaNAs, содержащими монослойные внедрения InAs и ограниченными сверхрешетками InGaNAs/GaNAs. При больших концентрациях индия наблюдался вызванный увеличением напряжения рассогласования переход от двумерного к островковому режиму роста. Наибольшая длина волны излучения при комнантной температуре, достигнутая в структурах с квантовыми ямами, составила1.59 мкм, вструктурах с квантовыми точками---1.76 мкм. PACS: 78.67.Hc, 78.67.De, 78.55.Cr