Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP
Карлина Л.Б., Власов А.С., Кулагина М.М., Тимошина Н.Х. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 351
Аннотация
Исследовано отражение инфракрасного излучения в диапазоне длин волн 1000--2200 нм подложками n-InP с \glqq тыльным\grqq зеркалом MgF2/Au. Установлено, что величина коэффициента отражения слабо зависит от толщины подложек и концентрации свободных носителей в диапазоне (0.1-6)· 1018 см-3. Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии цинка и фосфора из газовой фазы получены термофотоэлектрические преобразователи на основе изопериодической гетероструктуры InP--In0.53Ga0.47As p-n- и n-p-полярности. Показано, что p-n- и n-p-термофотоэлементы с одинаковой конфигурацией контактов площадью1 см2 имели следующие характеристики: напряжение холостого хода Uoc=0.465 B и фактор заполнения FF=64% при плотности тока 1 A/см2, коэффициент отражения R=76-80% для длин волн >1.86 мкм. PACS: 85.80.Fi, 85.60.Bt
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален