Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие надлине волны1.94 мкм
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шленский А.А. Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие надлине волны1.94 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 356
Аннотация
Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения1.94 мкм при 300 K) втемпературном диапазоне77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мощностные характеристики обсуждаются в связи с особенностями конструкции, поглощением излучения в подложке и джоулевым разогревом. PACS: 85.60.Jb
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален