Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия * Институт физики полупроводников, 01108 Вильнюс, Литва ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетероструктурный транзистор наквантовых точках сповышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов

Мокеров В., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В.

Мокеров В., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Гетероструктурный транзистор наквантовых точках сповышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 367

Аннотация Изготовлен униполярный гетеротранзистор AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs нового типа со слоем квантовых точек InAs непосредственно в канале GaAs. Экспериментально получены высокие значения максимального тока насыщения транзистора до35 А/см и крутизны до 1300 мСм/мм. Представлена модель, объясняющая особенности вольт-амперной характеристики нового прибора ионизацией квантовых точек сильным полем и десятикратным повышением дрейфовой скорости электронов в структуре со слоем квантовых точек InAs вблизи гетероперехода AlGaAs/GaAs. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be