Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Роль одномерной диффузии вмодели роста поверхности кристалла Косселя

Бойко А.М., Сурис Р.А.

Бойко А.М., Сурис Р.А. Роль одномерной диффузии вмодели роста поверхности кристалла Косселя // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 372

Аннотация Изучен кинетический механизм образования дефектов на вицинальной поверхности, разориентированной в двух направлениях, при молекулярно-пучковой эпитаксии. Эти дефекты представляют собой два адатома--- \glqq двойку\grqq, слипшихся в потенциальной канаве у края ступени. Изучено влияние параметров поверхности и скорости роста на вероятность образования таких дефектов. Показано, что увеличение угла разориентации поверхности способствует резкому уменьшению количества дефектов в процессе роста. PACS: 81.15.Aa