Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный политехнический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Определение коэффициента ослабления света втонких слоях светодиодных структур

Ефремов А.А., Тархин Д.В., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г.

Ефремов А.А., Тархин Д.В., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г. Определение коэффициента ослабления света втонких слоях светодиодных структур // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 380

Аннотация Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd