Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровковSiGe иихформы
Яремко А.М., Валах М.Я., Джаган В.Н., Литвин П.М., Юхимчук В.А. Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровковSiGe иихформы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 391
Аннотация
Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровковGe иSiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии. PACS: 61.46.+w, 68.35.-p, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.60.Av
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален