Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности фотолюминесценции вструктурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода

Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Талочкин А.Б., Попов В.П.

Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Талочкин А.Б., Попов В.П. Особенности фотолюминесценции вструктурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 426

Аннотация Исследованы особенности спектров фотолюминесценции в имплантированных ионами водорода структурах кремний-на-изоляторе. Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции с ростом гидростатического давленияP во время отжига и формирование системы узких периодических пиков фотолюминесценции в спектральном диапазоне~500-700 нм для структур, отожженных при P>6 кбар. Показано, что появление тонкой структуры в спектре фотолюминесценции коррелирует с замедлением выхода водорода из имплантированных образцов и подавлением процесса образования микропузырей водорода в приповерхностном слое. Эти процессы способствуют формированию оптического резонатора с зеркалами, образованными границами раздела \glqq кремний-на-изоляторе-воздух\grqq и \glqq кремний-на-изоляторе-SiO2\grqq, и оптически активным слоем, созданным имплантацией ионов водорода и последующим отжигом. PACS: 78.55.Hx, 78.66.-w, 81.40.Tv, 81.60.Cp, 68.55.Ln