Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03928 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением свведением углерода

Каганович Э.Б., Лисовский И.П., Манойлов Э.Г., Злобин С.А.

Каганович Э.Б., Лисовский И.П., Манойлов Э.Г., Злобин С.А. Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением свведением углерода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 449

Аннотация Исследуется влияние углерода на фотолюминесцентные свойства пленок состава: Si квантово-размерные нанокристаллы / SiOx (x->2) матрица. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ и спектры инфракрасного поглощения в диапазоне волновых чисел 650-1500 см-1. Установлено, что введение углерода в присутствии кислорода при импульсном лазерном осаждении пленок приводит к бело-голубому спектру, увеличению интенсивности и стабильности фотолюминесценции. Влияние углерода на фотолюминесцентные свойства связывается с формированием SiO2-барьерной фазы взамен SiOx (1