Профиль » Публикация

Аннотация Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. Вкачестве источника азота использован демитилгидразин. Внастоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы предотвратить нежелательные процессы взаимодиффузии атомов In и Ga, а также переиспарение атомовIn. Сдругой стороны, толстые барьерные слои GaAs должны выращиваться при повышенной температуре из-за сильного влияния температуры роста на оптическое качество структуры. Повышение температуры подложкодержателя на 100 градусов требует прерывания процесса в реакторе МОГФЭ примерно на 2 мин. Момент прерывания процесса для подъема температуры может быть выбран в различных точках процесса: 1--- после квантовых точек, перед покрывающим слоем InGaAs; 2--- внутри процесса роста покрывающего слоя; 3--- между покрывающим слоем и барьерным GaAs; 4--- внутри барьерного слоя GaAs. Показано, что наиболее подходящим для структур с сильной фотолюминесценцией на 1.3 мкм является последний вариант, где тонкая начальная часть барьерного слоя выращивается при пониженной температуре. PACS: 78.55.-m, 81.16.-c