Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияDepartment of Electrical Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Борисов Б.А., Никишин С.Н., Курятков В.В., Кучинский В.И., Holtz M., Temkin H.

Борисов Б.А., Никишин С.Н., Курятков В.В., Кучинский В.И., Holtz M., Temkin H. Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 460

Аннотация Исследованы зависимости интенсивности катодолюминесценции множественных квантовых ям Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от условий роста. Наблюдается увеличение почти на 2 порядка интенсивности пика катодолюминесценции с энергией 4.45 эВ при росте слоя квантовой ямы в режиме сильного обеднения по аммиаку. На картине дифракции быстрых электронов при этом появляется тенденция к режиму трехмерного роста, эффект интерпретируется в модели формирования квантовых точек AlGaN. PACS: 78.67.De, 78.67.Hc, 81.15.Hi