Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова (физический факультет), 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния

Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.

Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 476

Аннотация Исследованы частотные зависимости электропроводности и емкости анизотропного пористого кремния, полученного путем электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности (110). Обнаружено, что во всем исследованном диапазоне частот (5 Гц-13 МГц) и температур (170-370 K) величина электропроводности по направлению наибольшего размера кремниевых нанокристаллов значительно выше, чем по направлению их наименьшего размера. Наоснове анализа экспериментальных данных показано, что основной причиной анизотропии электрического транспорта является анизотропия кремниевых нанокристаллов, составляющих исследуемые образцы пористого кремния. PACS: 72.15.Cz, 72.30.+q