Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация+ Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs сасимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления

Блохин С.А., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д. Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs сасимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 482

Аннотация Получена лазерная генерация в микродисках с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления, при оптической накачке в диапазоне температур 5--180 K. Вкачестве активной области использовались квантовые точки InGaAs, полученные методом субмонослойного осаждения. Экспериментально измеренное значение добротности микродискового резонатора составило не менее 104. Температурный сдвиг длины волны резонансной моды обусловлен дисперсионно-температурной зависимостью эффективного показателя преломления микродиска. Наблюдаемая температурная зависимость порога генерации обусловлена температурным выбросом носителей из квантовых точек вGaAs. PACS: 48.55.Px, 85.60.Jb, 78.45.Lh