Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияЧерновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина * Optoelectronics Institute, P.O. Box030, 471009 Luoyang, Henan, People's Republic of China ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические характеристики фотодиодов ITO/HgInTe

Косяченко Л.А., Раренко И.М., Склярчук О.Ф., Герман И.И., Weiguo Sun

Косяченко Л.А., Раренко И.М., Склярчук О.Ф., Герман И.И., Weiguo Sun Электрические характеристики фотодиодов ITO/HgInTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 568

Аннотация Исследованы фоточувствительные в области 0.5-1.7 мкм фотодиоды, полученные вакуумным магнетронным распылением слоя ITO (SnO2+In2O3) на поверхность монокристалла Hg3In2Te6. Измеренные электрические характеристики при температурах 265-333 K свидетельствуют о термоэлектронном механизме переноса заряда в исследуемых диодах. Вольт-амперная характеристика и ее температурные изменения находят количественное описание на основе энергетической диаграммы и найденных параметров гетероперехода. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 85.60.Dn