Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияУльяновский государственый университет, 432970 Ульяновск, Россия, www.ulsu.ru ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах

Грушко Н.С., Логинова Е.А., Потанахина Л.Н.

Грушко Н.С., Логинова Е.А., Потанахина Л.Н. Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 584

Аннотация Предложены способы определения параметров уровней (энергий и коэффициентов захвата электронов и дырок), участвующих в формировании рекомбинационного потока, рассмотрены температурные зависимости этих параметров для структур AlGaN/InGaN/GaN иInGaN/SiC. Определены параметры уровней, участвующих впроцессах туннельной рекомбинации. PACS: 73.63.Hg, 73.40.Gk