Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет &#92;glqq ЛЭТИ&#92;grqq, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs

Пихтин А.Н., Комков О.С., Базаров К.В.

Пихтин А.Н., Комков О.С., Базаров К.В. Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 608

Аннотация Методом спектроскопии электроотражения исследовано влияние внешнего электрического поля на межзонные оптические переходы в одиночных квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. Предложена методика выделения вклада отдельных экситонных переходов в формирование сложного модуляционного спектра. Экспериментально наблюдались нетривиальные полевые зависимости вероятности запрещенных по симметрии оптических переходов. Проведено сравнение полученных данных с соответствующими теоретическими зависимостями. Напряженность внутреннего электрического поля в области квантовой ямы контролировалась по осцилляциям Франца--Келдыша. При некоторых значениях напряженности вероятность запрещенных в нулевом поле переходов превышала вероятность разрешенных. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg